DDR4相较DDR3新增的引脚及其功能
VDDQ (2):
功能：这是DDR4数据输出缓冲器的电源引脚，较高的VDDQ可以提升信号完整性和数据传输速度。
用途：VDDQ与VDD（核心电压）分开，使内存系统能够更好地管理和优化I/O电压。
配置：通常由内存控制器提供，VDDQ电压需要与内存模块的工作I/O电压相匹配。
VPP：
功能：VPP是DDR4引入的新电源引脚，用于内部DRAM操作中的字线电压提升，比如刷新和行访问。
用途：DDR4中的VPP电压为2.5V，提升性能的同时降低功耗，特别是在行激活操作中。
配置：VPP电源需根据内存的电源规格进行配置，确保为行访问操作提供足够的电压支持。
Bank Group (2)：
功能：DDR4新增了“Bank组”概念，每组包含多个Bank。通过“Bank组”机制，DDR4可以实现更高效的数据访问，减少访问延迟并提升带宽。
用途：DDR4通过增加Bank组来提高数据吞吐量，支持同时处理多个数据流。
配置：需要在内存控制器中支持此配置，确保最大限度利用多Bank并行访问特性。
DBI_n（Data Bus Inversion 引脚）：
功能：数据总线反转（DBI）是一项用于降低功耗的新技术，当传输数据中“1”的数量超过一半时，会反转数据以减少功耗。
用途：减少高速数据传输中的噪声和功耗，提升信号完整性。
配置：DBI由内存控制器和DRAM协同工作，当启用时，控制器会自动进行数据反转。
ACT_n：
功能：这是行激活命令引脚，主要用于激活DRAM中的特定行以进行读写操作。
用途：通过该引脚减少了DDR4中的行命令引脚数量，简化信号设计。
配置：由内存控制器根据访问模式自动控制，无需特殊配置。
PAR（奇偶校验引脚）：
功能：引入用于命令和地址总线的奇偶校验功能，帮助检测数据传输中的错误。
用途：增强DDR4内存的可靠性，特别是对服务器和数据中心应用有帮助。
配置：一般与ECC内存搭配使用，需内存控制器支持奇偶校验功能。
Alert_n：
功能：这是一个用于报告错误状态的引脚，当检测到错误或温度超过限制时，Alert_n会发出信号通知系统。
用途：在高负载应用或服务器中，帮助实时监控内存状态并保护系统安全。
配置：通常内存控制器会自动处理Alert信号，需确保该引脚正确连接。
TEN（温度传感器引脚）：
功能：用于监控DRAM的温度，以防止过热。
用途：TEN引脚在高温环境中能够触发冷却机制，防止内存因过热而损坏。
配置：需要控制器支持温度检测和管理功能，系统可以设置不同的温度阈值。
DDR4相比DDR3去除的引脚
VREFDQ：
变化：DDR4取消了VREFDQ引脚，取而代之的是内部的参考电压生成机制，简化了系统设计。
用途：减少了系统外部电压源的依赖，提高了电源管理效率。
Bank Address（3个地址中的1个被删除）：
变化：DDR4将部分Bank地址移入Bank组，减少了需要的地址引脚数量。
用途：通过引入Bank组，优化了内存的访问速度和并行度。
VDD (1), VSS (3), VSSQ (1)：
变化：相比DDR3，DDR4减少了这些电源和接地引脚的数量，提升了引脚的效率。
用途：减少引脚的数量也降低了封装成本，同时不影响性能。
总结
DDR4相比DDR3，在电源管理、数据完整性、并行访问和系统可靠性上都有显著改进。这些改动使DDR4在速度、功耗和稳定性上比DDR3更具优势，特别是在高性能计算和服务器应用中。
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